HBM — это специализированный тип DRAM, который отличается большей емкостью матриц и более широким интерфейсом, однако это делает производство более сложным. Каждый модуль HBM состоит из восьми или двенадцати матриц, соединенных сквозными кремниевыми отверстиями (TSV), на базовой логической матрице. Чтобы удовлетворить растущий спрос, Micron должна увеличить объемы производства устройств HBM DRAM, мощности по тестированию и укладке TSV.
Основное предприятие Micron по производству HBM в Тайчжуне (Тайвань) расширяет свои мощности. Компания также планирует добавить операции по тестированию и сборке HBM3E в Малайзии, хотя производство реальных DRAM-плашек там маловероятно. Кроме того, Micron устанавливает современные линии для тестирования HBM в штаб-квартире в Бойсе (США), готовясь к выпуску памяти нового поколения HBM4, ожидаемого в 2025-2026 годах.
