Достичь этого южнокорейские Samsung и SK Hynix планируют за счёт оснащения серии Galaxy S25 оперативной памятью нового поколения LPDDR6 DRAM. Характеристик этой памяти нет, поэтому обозреватели предлагают ориентироваться на описание LPDDR5 и LPDDR5X.
Эти типы памяти имеют пропускную способность обработки данных 6,4 Гбит/с и 8,5 Гбит/с соответственно. Отмечается, что работать LPDDR6 может с чипсетом Snapdragon 8 Gen 4.
И этот чипсет, оснащённый ядрами Qualcomm Oryon, разработанными Nuvia, судя по слухам, будет быстрее, чем ядра процессора будущего чипа Apple A18 Pro, который должен получить iPhone 16 Pro.
Но выйдет смартфон Galaxy S25 с чипом Snapdragon 8 Gen 4 не для всех рынков.
